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IRFSL9N60A, SiHFSL9N60A
Vishay Siliconix
2400
2000
V GS
C is s
C rss
C o ss
=
=
=
=
0 V , f = 1M H z
C g s + C g d , C d s S H O R TE D
C gd
C ds + C gd
100
C iss
T J = 25 C
1600
1200
800
C oss
10
1
T J = 150°C
°
400
C rss
0
1
10 100
V D S , D rain-to-S ource V olta ge (V )
1000
A
0.1
0.2
VGS = 0 V
0.5         0.7         1.0         1.2
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
Fig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
V DS = 480V
20
16
I D = 9.2A
400V
V DS = 300V
V DS = 120V
1000
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
12
10us
10
100us
8
1ms
1
T J = 150 C
4
0
0
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
10       20       30       40       50
Q G , Total Gate Charge (nC)
0.1
10ms
T C = 25 ° C
°
Single Pulse
10             100            1000
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
10000
Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
4
Fig. 8 - Maximum Safe Operating Area
Document Number: 90362
S11-1045-Rev. C, 30-May-11
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